產(chǎn)品介紹：
高溫反偏柵偏老煉檢測系統(tǒng)是通過配置不同老化板來滿足Si/SiC/GaN芯片的各種封裝形式二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管等半導(dǎo)體分立器件的高溫反偏/柵偏可靠性測試和老化篩選。
產(chǎn)品別名：
高溫偏置老化測試系統(tǒng)，HTRB，HTGB，高溫反偏老化箱，高溫柵偏試驗箱，HTRB高溫反偏試驗系統(tǒng)，高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)，HTGB高溫柵反偏老化測試系統(tǒng)
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威邦高溫反偏柵偏老煉檢測系統(tǒng)：該系統(tǒng)可進行室溫＋10℃~200℃ 的高溫反偏老化測試，老化過程中實時監(jiān)測被測器件的漏電流狀態(tài)、被測器件的電壓狀態(tài)，并根據(jù)需要記錄老化試驗數(shù)據(jù)，導(dǎo)出試驗報表。滿足Si/SiC/GaN芯片的各種封裝形式二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管等半導(dǎo)體分立器件的高溫反偏（HTRB）/柵偏（HTGB）可靠性測試和老化篩選。
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應(yīng)用領(lǐng)域：各種封裝形式二極管、三極管、MOS管、場效應(yīng)管、可控硅、電容電阻、射頻器件、橋堆和 IGBT 模塊等半導(dǎo)體分立器件。
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適用標準：MIL-STD-750D，METHOD-1038.3，GJB128，JESD22-A101，JESD22-A108，AEC-Q101，AQG324
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?兼容RB/GB，用戶在軟件中設(shè)置，可直接從HTRB模式切換至HTGB模式。
?全過程試驗數(shù)據(jù)保存于硬盤中，可輸出Excel試驗報表和繪制全過程漏電流IR變化曲線。
?每個回路漏電流超上限電子開關(guān)斷電保護。
?可定制工位老化電壓獨立控制功能，實現(xiàn)單工位老化超限剔除。
?nA級別的漏電流檢測精度。
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*可定制任意規(guī)格參數(shù)非標機型
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| 高溫反偏柵偏老煉檢測系統(tǒng)（HTRB/HTGB） | |||||
| 型號 | WBE-PDSHGB-16B10080N | ||||
| 系統(tǒng)參數(shù) | 試驗通道 | 16個試驗通道 | |||
| 試驗容量 | 80*16=1280位 | ||||
| 試驗電源 | 標配8臺試驗電源，電源規(guī)格可選 | ||||
| 電源規(guī)格 | 有20V、100V、200V、300V、600V、1000V、1200V、2000V電源規(guī)格可供選擇（電源可手動設(shè)置，也可程序設(shè)置）。 | ||||
| 電壓檢測范圍 | ?-100V～2000V, 精度：±1%±2LSB | ||||
| 電流檢測范圍 | 0.01uA～50mA | ||||
| 電流檢測精度 | 1%±2LSB | ||||
| 基本功能 | 漏電流上限、試驗電壓上限、溫度上限的設(shè)定；老化時間的設(shè)定； 實時監(jiān)測并顯示每通道的老化時間、老化進度、失效工位數(shù)等； 實時顯示并記錄保存老化參數(shù)（每工位IR、VR、Temp）； 實時判斷是否超限，超限報警并記錄超限工位及超限時間； 實時顯示每工位的最大IR值，并顯示最大IR值產(chǎn)生時間； 老化參數(shù)方便調(diào)用、可生成試驗報表、可繪制漏電流變化曲線。 |
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| 上位機 | ?工業(yè)級電腦主機、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標 | ||||
| 老化板 | 聚酰亞胺 (Polymide) 雙面覆銅板, Tg=260℃, 銅厚：35μm | ||||
| 電網(wǎng)要求 | AC220V±10%，單相三線制 ，AC380V±10%，三相五線制，47Hz~63Hz±2Hz | ||||
| 系統(tǒng)體積 | W1315×H1980×D1335（mm） | ||||
| 重量 | 780Kg | ||||
| 高溫試驗箱 | 溫度范圍 | R.T.~（200℃） | |||
| 溫度精度 | ≤±1℃ | ||||
| 溫度均勻度 | ≤±3℃ | ||||
| 溫度波動度 | ≤0.4℃（200℃） | ||||
| 滿足標準 | AEC-Q101、AEC-Q102、MIL-STD-750、GJB33、AQG324、GJB128、IEC 60747-7,8,9試驗標準要求。 | ||||
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